VS-FB190SA10, Transistor MOSFET, Canal-N, 190 A 100 V

Description

Caractéristiques techniques:

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    190 A
• Tension Drain Source maximum    100 V
• Résistance Drain Source maximum    0,0065 Ω
• Tension de seuil minimale de la grille    2V
• Tension Grille Source maximum    ±20 V
• Type de boîtier    SOT-227
• Type de montage    CMS
• Nombre de broche    4
• Mode canal    Enrichissement
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    568 W
• Configuration    Double source
• Retard au blocage typique    181 ns
• Capacitance d’entrée typique @ Vds    10700 pF @ 25 V
• Charge de Grille type @ Vgs    250 nC @ 10 V
• Hauteur    12.3mm
• Retard à la conduction typique    45 ns
• Température de fonctionnement minimum    -55 °C
• Largeur    25.7mm
• Température d’utilisation maximum    +150 °C
• Longueur    38.3mm
• Dimensions    38.3 x 25.7 x 12.3mm
• Nombre d’éléments par circuit    1