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Transistors
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FDD6670A MOSFET 15A 30V TO-252
10.00د.م.
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7MBR30SA060-50 600V 30A IGBT MODULE
500.00د.م.
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K2611, MOSFET, Canal-N 9A 900V TO-247
25.00د.م.
Sa technologie de pointe a été spécialement conçue pour minimiser la résistance à l'état passant, fournir des performances de commutation supérieures et résister aux impulsions à haute énergie en mode avalanche et commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés aux alimentations à découpage à haut rendement
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FGA50T65SHD IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
70.00د.م.
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- Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
- Maximum Gate Emitter Voltage: 30 V
- Continuous Collector Current: 100 A
- Package/Case: TO-3PN
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