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G160N60UFD Transistor IGBT 600V/160A TO-264
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G160N60UFD Transistor IGBT 600V/160A TO-264

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  • SGL160N60UFD
  • Ultrafast IGBT
  • Collector-Emitter Voltage: 600V
  • Collector Current, TC = 25°C: 160A
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MJL21194G Transistor, NPN, 250 V, 16 A, TO-3BPL, 3 broches
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MJL21194G Transistor, NPN, 250 V, 16 A, TO-3BPL, 3 broches

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  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V
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MJL21193G Transistor, PNP, 250 V, 16 A, TO-264, 3 broches
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MJL21193G Transistor, PNP, 250 V, 16 A, TO-264, 3 broches

30.00د.م. Ajouter au panier
  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V c.c.
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G80N60UFD Transistor IGBT 600V/80A
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G80N60UFD Transistor IGBT 600V/80A

50.00د.م. Ajouter au panier
  • Collector-Emitter Voltage (VCE): 600V
  • Collector Current(IC): 80A
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BC107 NPS transistor TO-92
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BC107 NPS transistor TO-92

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ISO124U Amplificateur d’isolation SOP 8
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ISO124U Amplificateur d’isolation SOP 8

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Isolateurs analogiques
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IR2104 Driver de puissance MOSFET DIP-8
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IR2104 Driver de puissance MOSFET DIP-8

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IR2104 Driver de puissance MOSFET et IGBT 0.36A Demi-pont, Non inverseur, 10 → 20 V, 8 broches

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IRFZ44N, MOSFET, Canal-N, 41 A 55 V TO-220-3
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IRFZ44N, MOSFET, Canal-N, 41 A 55 V TO-220-3

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BU808DFI Transistors Darlington NPN TO-3P
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BU808DFI Transistors Darlington NPN TO-3P

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  • Polarité du transistor:     NPN   
  • Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:     700 V    
  • Émetteur - Tension de base VEBO:     5 V    
  • Collecteur - Tension de base VCBO:     1400 V    
  • Courant CC max. du collecteur:     8 A    
  • Pd - Dissipation d’énergie :     52 W
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TEC1-12706 Refroidisseur Thermoélectrique Peltier 12V 6A 40x40mm
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TEC1-12706 Refroidisseur Thermoélectrique Peltier 12V 6A 40x40mm

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MODULE REFROIDISSEUR TEC1-12706 A EFFET PELTIER 40x40mm Thermoelectric 12V 60W
  • Taille: 40mm x 40mm
  • Fonctionne à partir de 0 ~ 15.2V et 0 ~ 6A
  • Fonctionne la température: -30 ° C à 70 ° C
  • Consommation maximale: 60W
 
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IGBT, 18N120BND, Canal-N, 54 A 1200 V A-247, 3 broches
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IGBT, 18N120BND, Canal-N, 54 A 1200 V A-247, 3 broches

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BC327 Transistor PNP 50V 0.8A TO-92
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BC327 Transistor PNP 50V 0.8A TO-92

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K-5204K 80g Pâte de dissipation thermique au Silicone pour CPU
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K-5204K 80g Pâte de dissipation thermique au Silicone pour CPU

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  • Pâte de dissipation thermique au Silicone
  • Assure une protection de longue durée des circuits électriques
  • Colle à haute conductivité thermique pour CPU
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2SK3878, MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 broches
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2SK3878, MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 broches

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k3878
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6MBI100S-060-50 IGBT MODULE 100A 600V
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6MBI100S-060-50 IGBT MODULE 100A 600V

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2N3055 Transistor bipolaire, NPN, 60 V, 15 A, TO-204AA, 2 broches
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2N3055 Transistor bipolaire, NPN, 60 V, 15 A, TO-204AA, 2 broches

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