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MJ15003 – Transistors NPN – BJT 20A 140V 250W
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MJ15003 – Transistors NPN – BJT 20A 140V 250W

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  • MJ15003G
  • Transistors NPN
  • Courant: 20A
  • Tension: 140V
  • Puissance: 250W
  • Bpoitier: TO-204AA
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2SC3858 – Transistor NPN 200V 17A MT-200, 3 broches
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2SC3858 – Transistor NPN 200V 17A MT-200, 3 broches

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2SA1494 Transistor, PNP, 200 V, 17 A, MT-200, 3 broches
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2SA1494 Transistor, PNP, 200 V, 17 A, MT-200, 3 broches

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G20N60A4D Transistor IGBT Canal-N 600V 70A 190W TO-247
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G20N60A4D Transistor IGBT Canal-N 600V 70A 190W TO-247

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  • IGBT HGTG20N60A4D
  • Courant continu de Collecteur maximum     70 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     600 V
  • Boitier: TO-247
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2SC3998 – Transistor NPN 1500V 25A 250W TOP3L
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2SC3998 – Transistor NPN 1500V 25A 250W TOP3L

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C3998 transistor NPN  25A 1500V

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G160N60UFD Transistor IGBT 600V/160A TO-264
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G160N60UFD Transistor IGBT 600V/160A TO-264

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  • SGL160N60UFD
  • Ultrafast IGBT
  • Collector-Emitter Voltage: 600V
  • Collector Current, TC = 25°C: 160A
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MJL21194G Transistor, NPN, 250 V, 16 A, TO-3BPL, 3 broches
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MJL21194G Transistor, NPN, 250 V, 16 A, TO-3BPL, 3 broches

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  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V
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MJL21193G Transistor, PNP, 250 V, 16 A, TO-264, 3 broches
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MJL21193G Transistor, PNP, 250 V, 16 A, TO-264, 3 broches

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  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V c.c.
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G80N60UFD Transistor IGBT 600V/80A
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G80N60UFD Transistor IGBT 600V/80A

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  • Collector-Emitter Voltage (VCE): 600V
  • Collector Current(IC): 80A
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BC107 NPS transistor TO-92
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BC107 NPS transistor TO-92

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ISO124U Amplificateur d’isolation SOP 8
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ISO124U Amplificateur d’isolation SOP 8

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Isolateurs analogiques
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IR2104 Driver de puissance MOSFET DIP-8
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IR2104 Driver de puissance MOSFET DIP-8

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IR2104 Driver de puissance MOSFET et IGBT 0.36A Demi-pont, Non inverseur, 10 → 20 V, 8 broches

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IRFZ44N, MOSFET, Canal-N, 41 A 55 V TO-220-3
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IRFZ44N, MOSFET, Canal-N, 41 A 55 V TO-220-3

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BU808DFI Transistors Darlington NPN TO-3P
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BU808DFI Transistors Darlington NPN TO-3P

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  • Polarité du transistor:     NPN   
  • Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:     700 V    
  • Émetteur - Tension de base VEBO:     5 V    
  • Collecteur - Tension de base VCBO:     1400 V    
  • Courant CC max. du collecteur:     8 A    
  • Pd - Dissipation d’énergie :     52 W
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TEC1-12706 Refroidisseur Thermoélectrique Peltier 12V 6A 40x40mm
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TEC1-12706 Refroidisseur Thermoélectrique Peltier 12V 6A 40x40mm

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MODULE REFROIDISSEUR TEC1-12706 A EFFET PELTIER 40x40mm Thermoelectric 12V 60W
  • Taille: 40mm x 40mm
  • Fonctionne à partir de 0 ~ 15.2V et 0 ~ 6A
  • Fonctionne la température: -30 ° C à 70 ° C
  • Consommation maximale: 60W
 
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IGBT, 18N120BND, Canal-N, 54 A 1200 V A-247, 3 broches
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IGBT, 18N120BND, Canal-N, 54 A 1200 V A-247, 3 broches

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