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Transistors
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BU2527DX – Transistors NPN + diode 1500V 12A 45W
25.00د.م.
- Type de transistor NPN
- Polarisation bipolaire
- Tensions collecteur-émetteur 1.5kV
- Courant du collecteur 12A
- Puissance 45W
- Boîtier SOT399
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20N60S5, Transistor MOSFET, Canal-N, 20A 600V TO-247
25.00د.م.
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SPW20N60S5 Mosfet de puissance
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MJ15003 – Transistors NPN – BJT 20A 140V 250W
20.00د.م.
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- MJ15003G
- Transistors NPN
- Courant: 20A
- Tension: 140V
- Puissance: 250W
- Bpoitier: TO-204AA
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G20N60A4D Transistor IGBT Canal-N 600V 70A 190W TO-247
40.00د.م.
- IGBT HGTG20N60A4D
- Courant continu de Collecteur maximum 70 A
- Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V
- Boitier: TO-247
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G160N60UFD Transistor IGBT 600V/160A TO-264
60.00د.م.
- SGL160N60UFD
- Ultrafast IGBT
- Collector-Emitter Voltage: 600V
- Collector Current, TC = 25°C: 160A
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